QLC颗粒怎么样？固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

如今，固态硬盘的发展迅速，技术也逐步成熟，对于选购固态硬盘不再只是容量选择的那么简单，更多人群更在意的是性能与颗粒类型，而对于SSD颗粒类型，相信不少用户对QLC、SLC、MLC、TLC颗粒类型一无所知，而尤其是最新推出的搭载QLC颗粒的固态硬盘来说，不少用户称QLC颗粒不好。那么QLC颗粒怎么样？下面装机之家晓龙分享一下固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识。

固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC（四层存储单元）。固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据，里面存放数据最小单位叫作“Cell”，SLC每个cell可以存放1bit数据，MLC每个cell可以存放2bit数据，TLC每个cell可以存放3bit数据，而QLC可以存放4bit数据。

为了小白更好的理解其中的意义，我来举个例子，我们将芯片可以看做一张画满格子的纸张，cell相当于纸张上的一个个的格子，数据看做是一个黄豆。也就是说，SLC方案每个格子中只能放入一颗黄豆，所以存储空间较小，MLC方案每个格子可以放入两颗黄豆，TCL方案每个格子可以放入三颗黄豆，而QLC方案每个格子可以存放四个黄豆，成本不变的情况下，存储空间较大。要知道这个纸张（芯片晶圆）价格也十分昂贵的，也就是说同样的晶圆如果做成SLC只有128G，做成MLC就有256G了，做成TLC的话变成512G，而做成QLC我们可以做成更大容量，而成本是相同的。

QLC颗粒

QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比

SLC（单层存储单元）

全称是Single-Level Cell，单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，SLC达到1bit/cell，写入数据的时候电压变化区间小，P/E寿命较长，理论擦写次数在10万次以上，但是由于成本最高，所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。

MLC（双层存储单元）

全称是Multi-Level Cell，使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，MLC达到2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在3000-5000次左右，成本相对较高，但是对于消费级来说也可以接受，多用于家用级高端产品中。

TLC（三层存储单元）

全称是Trinary-Level Cell，三层式存储单元，是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，由于存储密度较高，所以容量理论上是MLC的1.5倍，成本较低，但是P/E寿命相对要低一些，理论擦写次数在1000-3000次不等，是目前市面上主流的闪存颗粒。

QLC（四层存储单元）

全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是P/E寿命更短，理论擦写次数仅150次。

QLC、SLC、MLC、TLC颗粒对比

QLC颗粒为什么不好？

每一个Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但是同时会导致不同电压状态越多，并且越难控制，所以采用QLC颗粒的固态，虽然容量更大价格更便宜，但是稳定性较差，并且P/E寿命较低，速度最慢。

总结：

QLC NAND最大的优势就是在于成本更低，相同的成本下能够做出更大容量的SSD，容量将不再受到限制，1TB容量对于QLC颗粒来说，都是小意思，几十到上百TB才是主流，大容量固态硬盘时代开始了。但是对于P/E寿命和速度来说，这是QLC颗粒最大劣势之处，P/E寿命的公式是擦写次数*容量/每天擦写量/365，但是QLC颗粒的固态硬盘容量都很大，假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘，每天擦写100G，也就是它的寿命=1024*100/100/365，约2.8年，还有这个最大写入次数也是理论上的，超出不一定就100%坏了，关键电脑不可能每天打开，也有休息的时候，加之每天不可能都擦写100G，所以它的寿命也是不用太担心的，等待固态硬盘坏了，整台电脑也淘汰了。

QLC颗粒相信不少用户会说是技术倒退，但是对于厂商来说，目前用户对存储容量需求随之提高，目前TLC和MLC颗粒大容量的固态硬盘价格偏贵，更低成本更大容量才是未来趋势，相信QLC颗粒会使得固态硬盘进入大容量廉价时代。

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