因素一:Flash芯片速度差别大
首先,就芯片问题来说,目前市场上存在着SLC、MLC以及TLC三种。SLC芯片优盘在速度上有明显的优势,充分显示了SLC芯片的强大性能。SLC芯片在载入速度以及数据传输速度上有着强大的优势,在能耗上SLC也要低于MLC。此外,由于SLC芯片可以保证十万次左右的稳定存取,因此它有着更长久的使用寿命。
MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势。与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大。
SLC与MLC参数对比
TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,TLC架构正式问世后,1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低。在TLC成功推广的道路上,闪存大厂东芝与三星可是立下汗马功劳,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
SLC、MLC、TLC对比
从上面的介绍中,我们看到SLC、MLC与TLC技术的优劣之处在哪,也可以得出这样一个结论:MLC是今后NAND Flash的发展趋势,就像CPU单核心、双核心、四核心一样,MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实现容量上的成倍跨越,直至更先进的架构问世。SLC的成本伤不起,TLC则更有可能引起数据的安全隐患,所以选择MLC的优盘更靠谱。
因素二:u盘主控影响很重要
另外,就目前市场上u盘使用的主控来说,有以下几种:擎泰、群联、慧荣、联盛、鑫创、安国与芯邦主控。每一种主控运用在不同品牌优盘上,其特性也不一样,这也是为什么不同品牌产品之间存在差异。主控不同,但是都没能使USB3.0的优势充分发挥出来,我们期待着u盘主控不断优化与发展,使得USB3.0发挥真正快速的作用。
影响u盘传输速度的两大因素就分析到这边,现在大家都了解了吧,希望此教程对大家有所帮助。